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    兩只環形正負電子對撞機650 MHz 1-cell超導腔研發獲進展

    2021-05-07 高能物理研究所
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      4月30日,中國高能物理研究所加速器中心研制的兩只環形正負電子對撞機(CEPC) 650 MHz 1-cell超導腔(650S4、650S7)完成了垂直測試。測試結果顯示,在2K溫度下,650S4的品質因數Q值達到2.7E10@35MV/m,650S7的Q值達到3.6E10@32MV/m。該結果創造了國內低頻率(<1GHz)橢球型超導腔加速梯度的最高記錄,與世界領先水平相當。

      兩只650 MHz 1-cell超導腔的研發借鑒了此前高能所1.3 GHz超導腔研發的成功經驗:650S4是一只細晶粒超導腔,采用了重化學拋光+輕電拋光的技術路線;650S7則是一只大晶粒超導腔,先采用柔性(流體)拋光處理了表面的缺陷,再進行輕電拋光處理。

      未來,科研人員將優化工藝,進一步提高650 MHz 1-cell超導腔(尤其是大晶粒)的加速梯度和品質因數,并從1-cell向2-cell推廣。

      研究工作得到中科院先進光源技術研發與測試平臺(PAPS)和CEPC預研項目的支持。

     

    CEPC 650 MHz 1-cell超導腔測試結果(fine grain,細晶粒。large grain,大晶粒)

    打印 責任編輯:閻芳

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